NDS356AP دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
NDS356AP
|
|
حجم فایل
|
64.364
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
7
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
1 Piece P-Channel
-
Category:
Transistors/Thyristors/MOSFETs
-
Datasheet:
onsemi NDS356AP
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
500mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
4.4nC@5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
30V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
280pF@10V
-
Continuous Drain Current (Id):
1.1A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.5V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
200mΩ@10V,1.3A
-
Package:
SOT-23-3
